Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RJK2511DPK-00#T0
Herstellerteilenummer | RJK2511DPK-00#T0 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RJK2511DPK-00#T0 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RJK2511DPK-00#T0 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 65A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 32.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK2511DPK-00#T0 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RJK2511DPK-00#T0-FT |
RQ3E180GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E070BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E080BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E080GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E150BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E160ADTB
Rohm Semiconductor
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel