Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RJL6018DPK-00#T0

Renesas Electronics America RJL6018DPK-00#T0

Name: RJL6018DPK-00#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJL6018DPK-00#T0
Availability: InStock
Rating: 5.0 (183 reviews)

MFG-Teilenummer: RJL6018DPK-00#T0

verfügbare Anzahl: 73720 Stücke

Referenzpreis: USD 0

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 600V 27A TO3P

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RJL6018DPK-00#T0.pdf

RJL6018DPK-00#T0 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RJL6018DPK-00#T0
Zukünftige Teilenummer	FT-RJL6018DPK-00#T0
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RJL6018DPK-00#T0 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	27A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	265 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3830pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3P
Paket / fall	TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJL6018DPK-00#T0 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RJL6018DPK-00#T0-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns