Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN1702JE(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN1702JE(TE85L,F) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN1702JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1702JE(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-553 |
Supplier Device Package | ESV |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1702JE(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1702JE(TE85L,F)-FT |
NSVIMD10AMT1G
ON Semiconductor
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