Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN2104(T5L,F,T)
Herstellerteilenummer | RN2104(T5L,F,T) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN2104(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN2104(T5L,F,T) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | SSM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2104(T5L,F,T) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN2104(T5L,F,T)-FT |
BCR191WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR192WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR192WH6327XTSA1
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BCR196WE6327HTSA1
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BCR196WH6327XTSA1
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BCR198WE6327BTSA1
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BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-3FGG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256I
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AT40K10-2CQC
Microchip Technology
10CL055YF484C8G
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFXP6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel