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RN1104MFV,L3F Image

Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3F

MFG-Teilenummer
RN1104MFV,L3F
verfügbare Anzahl
60660 Stücke
Referenzpreis
USD 0.023184
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
RN1104MFV,L3F.pdf
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RN1104MFV,L3F Spezifikationen

Herstellerteilenummer RN1104MFV,L3F
Zukünftige Teilenummer FT-RN1104MFV,L3F
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RN1104MFV,L3F Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall SOT-723
Supplier Device Package VESM
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1104MFV,L3F Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RN1104MFV,L3F-FT

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