Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN1115MFV,L3F
Herstellerteilenummer | RN1115MFV,L3F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN1115MFV,L3F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1115MFV,L3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VESM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1115MFV,L3F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1115MFV,L3F-FT |
UNR32A400L
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UNR32A500L
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UNR32A5G0L
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UNR32AEG0L
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M2GL050T-1FCSG325
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A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQI
Microchip Technology
XC4008E-1PC84C
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XA6SLX9-3CSG225Q
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN256I
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LCMXO2-4000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
Intel