Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN2117(T5L,F,T)
Herstellerteilenummer | RN2117(T5L,F,T) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN2117(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN2117(T5L,F,T) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | SSM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2117(T5L,F,T) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN2117(T5L,F,T)-FT |
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel