Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN2117(T5L,F,T)
Herstellerteilenummer | RN2117(T5L,F,T) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN2117(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN2117(T5L,F,T) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | SSM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2117(T5L,F,T) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN2117(T5L,F,T)-FT |
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR198WE6327BTSA1
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BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F
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RN1110MFV,L3F
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RN1117MFV,L3F
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A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C3N
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XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
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LFE2M35E-5F672I
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LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQC208-3N
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5SGSMD4H2F35C1N
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