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Rohm Semiconductor RS1P600BETB1

MFG-Teilenummer
RS1P600BETB1
verfügbare Anzahl
22210 Stücke
Referenzpreis
USD 0.980672
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RS1P600BETB1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer RS1P600BETB1
Zukünftige Teilenummer FT-RS1P600BETB1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RS1P600BETB1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-HSOP
Paket / fall 8-PowerTDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1P600BETB1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RS1P600BETB1-FT

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