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Rohm Semiconductor RS1P600BETB1

Name: RS1P600BETB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1P600BETB1
Price: 0.980672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (643 reviews)

MFG-Teilenummer: RS1P600BETB1

verfügbare Anzahl: 22210 Stücke

Referenzpreis: USD 0.980672

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Hersteller: Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung: - RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RS1P600BETB1.pdf

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RS1P600BETB1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RS1P600BETB1
Zukünftige Teilenummer	FT-RS1P600BETB1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RS1P600BETB1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	17.5A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-HSOP
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1P600BETB1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RS1P600BETB1-FT

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