Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / SBT80-10Y-DL-E
Herstellerteilenummer | SBT80-10Y-DL-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SBT80-10Y-DL-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SBT80-10Y-DL-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | SMP-FD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBT80-10Y-DL-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SBT80-10Y-DL-E-FT |
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAV70UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV99UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56UE6433HTMA1
Infineon Technologies
FC903-TR-E
ON Semiconductor
IMN11T110
Rohm Semiconductor
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel