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Herstellerteilenummer | SI1308EDL-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI1308EDL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI1308EDL-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 132 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 400mW (Ta), 500mW (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1308EDL-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI1308EDL-T1-GE3-FT |
SIB414DK-T1-GE3
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SIB415DK-T1-GE3
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SIB417DK-T1-GE3
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SIB419DK-T1-GE3
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SIB422EDK-T1-GE3
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SIB488DK-T1-GE3
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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