Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIB419DK-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SIB419DK-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIB419DK-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIB419DK-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.82nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 562pF @ 6V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Paket / fall | PowerPAK® SC-75-6L |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB419DK-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIB419DK-T1-GE3-FT |
SIA426DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA429DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA430DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA433EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA437DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA439EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA440DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA443DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA443DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA444DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.