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Vishay Siliconix SIB456DK-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SIB456DK-T1-GE3
verfügbare Anzahl
59730 Stücke
Referenzpreis
USD 0.15884
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SIB456DK-T1-GE3.pdf
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SIB456DK-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SIB456DK-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SIB456DK-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SIB456DK-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Single
Paket / fall PowerPAK® SC-75-6L
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIB456DK-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SIB456DK-T1-GE3-FT

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