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Vishay Siliconix SI5406DC-T1-GE3

Name: SI5406DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5406DC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.6 (336 reviews)

MFG-Teilenummer: SI5406DC-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 14310 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI5406DC-T1-GE3.pdf

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SI5406DC-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI5406DC-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI5406DC-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI5406DC-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 1.2mA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Paket / fall	8-SMD, Flat Lead
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5406DC-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI5406DC-T1-GE3-FT

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