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Vishay Siliconix SI3585DV-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SI3585DV-T1-GE3
verfügbare Anzahl
30500 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SI3585DV-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SI3585DV-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SI3585DV-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SI3585DV-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 830mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package 6-TSOP
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI3585DV-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SI3585DV-T1-GE3-FT

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