Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / SI5906DU-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SI5906DU-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI5906DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI5906DU-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
Leistung max | 10.4W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5906DU-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI5906DU-T1-GE3-FT |
FDQ7238AS
ON Semiconductor
IRF7335D1TR
Infineon Technologies
SI4310BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4340CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4340DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel