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Herstellerteilenummer | SI3588DV-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI3588DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI3588DV-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.5A, 570mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 830mW, 83mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3588DV-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI3588DV-T1-E3-FT |
SI5936DU-T1-GE3
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SI5517DU-T1-GE3
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Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL050T-1FCSG325I
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A54SX16-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGXMB9R3H43I4N
Intel
LFE2-50SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
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