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Herstellerteilenummer | SI8406DB-T2-E1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI8406DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI8406DB-T2-E1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
Paket / fall | 6-UFBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8406DB-T2-E1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI8406DB-T2-E1-FT |
2N6661JTXL02
Vishay Siliconix
2N6661JTXP02
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2N6661JTXV02
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VP0808B
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VP0808B-2
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VP0808B-E3
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VP1008B
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SIDR626DP-T1-GE3
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SIDR668DP-T1-GE3
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SIDR870ADP-T1-GE3
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel