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Vishay Siliconix SIDR626DP-T1-GE3

Name: SIDR626DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR626DP-T1-GE3
Price: 1.090584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (77 reviews)

MFG-Teilenummer: SIDR626DP-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 13410 Stücke

Referenzpreis: USD 1.090584

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 60V

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIDR626DP-T1-GE3.pdf

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SIDR626DP-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIDR626DP-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIDR626DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET® Gen IV
SIDR626DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	42.8A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	102nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5130pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Paket / fall	PowerPAK® SO-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIDR626DP-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIDR626DP-T1-GE3-FT

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