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Herstellerteilenummer | SI8469DB-T2-E1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI8469DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI8469DB-T2-E1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 4V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 4-Microfoot |
Paket / fall | 4-UFBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8469DB-T2-E1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI8469DB-T2-E1-FT |
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR680DP-T1-GE3
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SIDR402DP-T1-GE3
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SIDR622DP-T1-GE3
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SIDR638DP-T1-GE3
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SQS407ENW-T1_GE3
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SQS411ENW-T1_GE3
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SQS415ENW-T1_GE3
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SQS460ENW-T1_GE3
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel