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Herstellerteilenummer | SI8469DB-T2-E1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI8469DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI8469DB-T2-E1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 4V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 4-Microfoot |
Paket / fall | 4-UFBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8469DB-T2-E1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI8469DB-T2-E1-FT |
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR680DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR402DP-T1-GE3
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SIDR610DP-T1-GE3
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SIDR622DP-T1-GE3
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SIDR638DP-T1-GE3
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SQS407ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS411ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS415ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel