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Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3

Name: SIDR610DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR610DP-T1-GE3
Price: 1.53612 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (373 reviews)

MFG-Teilenummer: SIDR610DP-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 23770 Stücke

Referenzpreis: USD 1.53612

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIDR610DP-T1-GE3.pdf

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SIDR610DP-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIDR610DP-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIDR610DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SIDR610DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Paket / fall	PowerPAK® SO-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIDR610DP-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIDR610DP-T1-GE3-FT

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