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Herstellerteilenummer | SI8497DB-T2-E1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI8497DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI8497DB-T2-E1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-microfoot |
Paket / fall | 6-UFBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8497DB-T2-E1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI8497DB-T2-E1-FT |
2N6661JTX02
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2N6661JTXL02
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SIDR668DP-T1-GE3
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LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel