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Vishay Siliconix SI8812DB-T2-E1

Name: SI8812DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8812DB-T2-E1
Price: 0.136456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (474 reviews)

MFG-Teilenummer: SI8812DB-T2-E1

verfügbare Anzahl: 79820 Stücke

Referenzpreis: USD 0.136456

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI8812DB-T2-E1.pdf

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SI8812DB-T2-E1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI8812DB-T2-E1
Zukünftige Teilenummer	FT-SI8812DB-T2-E1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI8812DB-T2-E1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 8V
Vgs (Max)	±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	4-Microfoot
Paket / fall	4-UFBGA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8812DB-T2-E1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI8812DB-T2-E1-FT

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