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Vishay Siliconix SIHD2N80E-GE3

Name: SIHD2N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD2N80E-GE3
Price: 0.53792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (174 reviews)

MFG-Teilenummer: SIHD2N80E-GE3

verfügbare Anzahl: 71280 Stücke

Referenzpreis: USD 0.53792

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: E MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIHD2N80E-GE3.pdf

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SIHD2N80E-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIHD2N80E-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIHD2N80E-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	E
SIHD2N80E-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHD2N80E-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIHD2N80E-GE3-FT

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