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Vishay Siliconix SIHD6N65ET1-GE3
- MFG-Teilenummer
- SIHD6N65ET1-GE3
- verfügbare Anzahl
- 18930 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.61776
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kurze Beschreibung
- E MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SIHD6N65ET1-GE3.pdf
SIHD6N65ET1-GE3 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SIHD6N65ET1-GE3 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SIHD6N65ET1-GE3 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | E |
| SIHD6N65ET1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIHD6N65ET1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SIHD6N65ET1-GE3-FT |
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