Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIHU6N65E-GE3
Herstellerteilenummer | SIHU6N65E-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIHU6N65E-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SIHU6N65E-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Paket / fall | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHU6N65E-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHU6N65E-GE3-FT |
SI3434DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3434DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3438DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3438DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3440ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3441BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3441BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3442CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3445ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3445ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel