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Herstellerteilenummer | SIHU6N80E-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIHU6N80E-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | E |
SIHU6N80E-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 940 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 827pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Paket / fall | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHU6N80E-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHU6N80E-GE3-FT |
SI3433CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3434DV-T1-E3
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SI3445ADV-T1-E3
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel