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Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3
- MFG-Teilenummer
- SIS612EDNT-T1-GE3
- verfügbare Anzahl
- 38040 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kurze Beschreibung
- TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 50A SMT
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SIS612EDNT-T1-GE3.pdf
SIS612EDNT-T1-GE3 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SIS612EDNT-T1-GE3 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SIS612EDNT-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchFET® |
| SIS612EDNT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| Paket / fall | PowerPAK® 1212-8S |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIS612EDNT-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SIS612EDNT-T1-GE3-FT |
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