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Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3

Name: SIS612EDNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS612EDNT-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (97 reviews)

MFG-Teilenummer: SIS612EDNT-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 38040 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIS612EDNT-T1-GE3.pdf

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SIS612EDNT-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIS612EDNT-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIS612EDNT-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SIS612EDNT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8S
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS612EDNT-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIS612EDNT-T1-GE3-FT

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