Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S13AHE3_A/I
Herstellerteilenummer | SM8S13AHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S13AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S13AHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 13V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 14.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 21.5V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 307A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S13AHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S13AHE3_A/I-FT |
SM5S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/K
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel