Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S43AHE3_A/I
Herstellerteilenummer | SM8S43AHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S43AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S43AHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 43V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 47.8V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 69.4V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 95.1A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S43AHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S43AHE3_A/I-FT |
SM8S12-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
M7A3P1000-1PQ208I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
10AX032H4F34E3SG
Intel
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
LFE5U-25F-7BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19A7N
Intel
EP4SGX360HF35C3
Intel