Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SMCG110AHE3/9AT
Herstellerteilenummer | SMCG110AHE3/9AT |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SMCG110AHE3/9AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG110AHE3/9AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 110V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 122V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 177V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 8.5A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Supplier Device Package | DO-215AB (SMCG) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG110AHE3/9AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SMCG110AHE3/9AT-FT |
SM8S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-2HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K10ATC144-1
Intel
XC6SLX100T-2FGG900C
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256A
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40UP5K-UWG30ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C5U256C7
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
XC4013XL-2BG256C
Xilinx Inc.
EP4SGX230HF35C4
Intel