Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / SNSS20101JT1G
Herstellerteilenummer | SNSS20101JT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SNSS20101JT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SNSS20101JT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Leistung max | 225mW |
Frequenz - Übergang | 350MHz |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Supplier Device Package | SC-89-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SNSS20101JT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SNSS20101JT1G-FT |
MMBT6427LT3
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