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Infineon Technologies SPB11N60C3ATMA1

Name: SPB11N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB11N60C3ATMA1
Price: 1.395856 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (542 reviews)

MFG-Teilenummer: SPB11N60C3ATMA1

verfügbare Anzahl: 90710 Stücke

Referenzpreis: USD 1.395856

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SPB11N60C3ATMA1.pdf

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SPB11N60C3ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SPB11N60C3ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-SPB11N60C3ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
SPB11N60C3ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB11N60C3ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SPB11N60C3ATMA1-FT

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