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Infineon Technologies SPB11N60C3ATMA1
- MFG-Teilenummer
- SPB11N60C3ATMA1
- verfügbare Anzahl
- 90710 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.395856
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SPB11N60C3ATMA1.pdf
SPB11N60C3ATMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SPB11N60C3ATMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SPB11N60C3ATMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | CoolMOS™ |
| SPB11N60C3ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Not For New Designs |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SPB11N60C3ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SPB11N60C3ATMA1-FT |
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