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Herstellerteilenummer | SQ4282EY-T1_GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SQ4282EY-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ4282EY-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2367pF @ 15V |
Leistung max | 3.9W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ4282EY-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQ4282EY-T1_GE3-FT |
FDMD8680
ON Semiconductor
FDMD8630
ON Semiconductor
FDPC8016S
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EPC
EPC2111ENGRT
EPC
EPC2110
EPC
XC6SLX150T-N3FG900C
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XC7S50-1FGGA484I
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LFE2-70E-6FN900I
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EP2C50U484C8
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EP2AGZ225HF40C4N
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EP1M350F780I6N
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Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
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