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Toshiba Semiconductor and Storage TK10Q60W,S1VQ

Name: TK10Q60W,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10Q60W,S1VQ
Price: 2.208 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (683 reviews)

MFG-Teilenummer: TK10Q60W,S1VQ

verfügbare Anzahl: 38760 Stücke

Referenzpreis: USD 2.208

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK10Q60W,S1VQ.pdf

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TK10Q60W,S1VQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK10Q60W,S1VQ
Zukünftige Teilenummer	FT-TK10Q60W,S1VQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	DTMOSIV
TK10Q60W,S1VQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	80W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I-PAK
Paket / fall	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK10Q60W,S1VQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK10Q60W,S1VQ-FT

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