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Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ
- MFG-Teilenummer
- TK10V60W,LVQ
- verfügbare Anzahl
- 86370 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.232
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TK10V60W,LVQ.pdf
TK10V60W,LVQ Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TK10V60W,LVQ |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TK10V60W,LVQ |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | DTMOSIV |
| TK10V60W,LVQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Verlustleistung (max.) | 88.3W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Paket / fall | 4-VSFN Exposed Pad |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK10V60W,LVQ Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TK10V60W,LVQ-FT |
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