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Toshiba Semiconductor and Storage TK12V60W,LVQ

Name: TK12V60W,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12V60W,LVQ
Availability: InStock
Rating: 5.0 (802 reviews)

MFG-Teilenummer: TK12V60W,LVQ

verfügbare Anzahl: 22750 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: DTMOSIV MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK12V60W,LVQ.pdf

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TK12V60W,LVQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK12V60W,LVQ
Zukünftige Teilenummer	FT-TK12V60W,LVQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	DTMOSIV
TK12V60W,LVQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	104W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	4-DFN-EP (8x8)
Paket / fall	4-VSFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK12V60W,LVQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK12V60W,LVQ-FT

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