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Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2A06PL,S4X

MFG-Teilenummer
TK8R2A06PL,S4X
verfügbare Anzahl
15450 Stücke
Referenzpreis
USD 1.272
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK8R2A06PL,S4X.pdf
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TK8R2A06PL,S4X Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK8R2A06PL,S4X
Zukünftige Teilenummer FT-TK8R2A06PL,S4X
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie U-MOSIX-H
TK8R2A06PL,S4X Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 300µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 28.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220SIS
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK8R2A06PL,S4X Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK8R2A06PL,S4X-FT

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