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Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2A06PL,S4X

Name: TK8R2A06PL,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK8R2A06PL,S4X
Price: 1.272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (412 reviews)

MFG-Teilenummer: TK8R2A06PL,S4X

verfügbare Anzahl: 15450 Stücke

Referenzpreis: USD 1.272

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK8R2A06PL,S4X.pdf

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TK8R2A06PL,S4X Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK8R2A06PL,S4X
Zukünftige Teilenummer	FT-TK8R2A06PL,S4X
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSIX-H
TK8R2A06PL,S4X Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	28.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1990pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	36W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220SIS
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK8R2A06PL,S4X Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK8R2A06PL,S4X-FT

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