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Herstellerteilenummer | TN815-800B-TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TN815-800B-TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TN815-800B-TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 800V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 15mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 5A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 8A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 40mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 70A, 73A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN815-800B-TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TN815-800B-TR-FT |
VS-ST1230C16K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C04K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C06K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C06K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C06K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
ST1000C12K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCR100-3 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
MCR100-4 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
M7A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGSMD4K2F40C3N
Intel
5SGXMABK1H40C2LN
Intel
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23C8N
Intel