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Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH,L1Q

Name: TPW4R50ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW4R50ANH,L1Q
Price: 0.61152 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (138 reviews)

MFG-Teilenummer: TPW4R50ANH,L1Q

verfügbare Anzahl: 77660 Stücke

Referenzpreis: USD 0.61152

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPW4R50ANH,L1Q.pdf

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TPW4R50ANH,L1Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPW4R50ANH,L1Q
Zukünftige Teilenummer	FT-TPW4R50ANH,L1Q
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVIII-H
TPW4R50ANH,L1Q Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	92A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-DSOP Advance
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPW4R50ANH,L1Q Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPW4R50ANH,L1Q-FT

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