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TSM10NB60CI C0G Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NB60CI C0G

MFG-Teilenummer
TSM10NB60CI C0G
verfügbare Anzahl
58060 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 600V 10A ITO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TSM10NB60CI C0G.pdf
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TSM10NB60CI C0G Spezifikationen

Herstellerteilenummer TSM10NB60CI C0G
Zukünftige Teilenummer FT-TSM10NB60CI C0G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
TSM10NB60CI C0G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1820pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package ITO-220AB
Paket / fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM10NB60CI C0G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TSM10NB60CI C0G-FT

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