Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR32A3G0L
Herstellerteilenummer | UNR32A3G0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR32A3G0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR32A3G0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR32A3G0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR32A3G0L-FT |
UNR222100L
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XCKU15P-1FFVE1517E
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XC2S300E-6PQ208C
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A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27I7N
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5SGXEA7H3F35C4N
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5SGSMD5H2F35I3L
Intel
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation