Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR511100L
Herstellerteilenummer | UNR511100L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR511100L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR511100L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SMini3-G1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR511100L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR511100L-FT |
DRA9A14Y0L
Panasonic Electronic Components
DRA9A24E0L
Panasonic Electronic Components
DRC9113Z0L
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DRC9114E0L
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DRC9123E0L
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DRC9124E0L
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DRC9143T0L
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DRC9143X0L
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LFE2-12E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-1
Intel
5SGSMD3E2H29I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I3L
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
EPF10K30EQI208-2N
Intel