Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / V12P10HM3_A/H
Herstellerteilenummer | V12P10HM3_A/H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-V12P10HM3_A/H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V12P10HM3_A/H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3.9A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 830mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 400µA @ 120V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-277, 3-PowerDFN |
Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P10HM3_A/H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | V12P10HM3_A/H-FT |
SD103AWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel