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Herstellerteilenummer | VQ1006P-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VQ1006P-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VQ1006P-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 4 N-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 90V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 400mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Leistung max | 2W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | 14-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VQ1006P-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VQ1006P-E3-FT |
IRFHM8363TRPBF
Infineon Technologies
IXTL2X180N10T
IXYS
IXTL2X200N085T
IXYS
IXTL2X220N075T
IXYS
JAN2N7334
Microsemi Corporation
JAN2N7335
Microsemi Corporation
JANTX2N7334
Microsemi Corporation
JANTX2N7335
Microsemi Corporation
JANTXV2N7334
Microsemi Corporation
JANTXV2N7335
Microsemi Corporation
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation