Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-ETL1506STRR-M3
Herstellerteilenummer | VS-ETL1506STRR-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-ETL1506STRR-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-ETL1506STRR-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.45V @ 15A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 15µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ETL1506STRR-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-ETL1506STRR-M3-FT |
VB10150S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel