Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-MURB820TRR-M3
Herstellerteilenummer | VS-MURB820TRR-M3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-VS-MURB820TRR-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | FRED Pt® |
VS-MURB820TRR-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MURB820TRR-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-MURB820TRR-M3-FT |
VB30100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100SG-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel