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Diodes Incorporated ZXMNS3BM832TA
- MFG-Teilenummer
- ZXMNS3BM832TA
- verfügbare Anzahl
- 94460 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- ZXMNS3BM832TA.pdf
ZXMNS3BM832TA Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | ZXMNS3BM832TA |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-ZXMNS3BM832TA |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| ZXMNS3BM832TA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 314pF @ 15V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-MLP, MicroFET (3x2) |
| Paket / fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ZXMNS3BM832TA Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | ZXMNS3BM832TA-FT |
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