Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5551AE-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SC5551AE-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5551AE-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5551AE-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Frequenz - Übergang | 3.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 1.3W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 300mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5551AE-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5551AE-TD-E-FT |
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
LCMXO2-256ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGXEA5K3F40C3N
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
EP4SGX530HH35C2ES
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
EP1S30F780C7
Intel