Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5632G0L
Herstellerteilenummer | 2SC5632G0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5632G0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5632G0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 8V |
Frequenz - Übergang | 1.1GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 150mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 2mA, 4V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-85 |
Supplier Device Package | SMini3-F2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5632G0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5632G0L-FT |
NE68530-A
CEL
NE68530-T1
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NE68530-T1-A
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NE68830-A
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NE68830-T1-A
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NE85630-A
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NE85630-R24-A
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NE85630-R25-A
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NE85630-T1
CEL
NE85630-T1-A
CEL
AT6005A-4AI
Microchip Technology
A1225A-PQG100C
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PLG68M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
EP4SGX290KF43C3N
Intel
EP3C10M164I7N
Intel
A54SX32A-1BG329
Microsemi Corporation
EP3C80F780C7N
Intel