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Herstellerteilenummer | 2SK1518-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SK1518-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SK1518-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 120W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK1518-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SK1518-E-FT |
RQ3E100BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100MNTB1
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RQ3E120GNTB
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XA6SLX45-3FGG484Q
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5SGXMA3K2F35I3N
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LFE3-95E-7FN1156C
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